如题所述
第1个回答 2020-01-25
所谓45nm晶圆,是指的两个晶体管之间的距离,不是晶体管的长度。这个值越小,每2个晶体管间距越近,同一块硅晶圆片能够切割出来的晶体管就越多,这样成本就越低。
打个简单的比方,一张纸,切割的时候,肯定是每块越小,切割的越多。
同样的cpu单个面积变小了,成本就降低了。
能耗高低根晶圆制作工艺理论上城正比的,更好的制作工艺可以降低cpu的工作电流、电压大小从而降低功率。
但实际上二者并非向很多人想象的那样完全成正比的。因为晶体管距离越近,漏电,电信号干扰等问题越突出,技术上处理的不好的话,就会造成功耗不降反升。
比如intel在130nm转向90nm时,对应的处理器是northwood核心的p4转向prescott核心的p4,后者虽然制作工艺好,但是功耗比前者大很多的。(当然后者的晶体管数目也比前者多)
制作工艺跟频率无直接关系,频率高低根cpu的内部设计有关。同时cpu的发热量也在限制频率的提升。因为温度太高,cpu运行会不稳定的。
但他们的间接关系在于,如果新制作工艺可以降低cpu的功耗的话,这样温度自然就降下来了,这也就造成了cpu频率可以进一步提升。因为cpu频率之所以不能升到特别高,主要还是温度的问题。
以上是根据自己所学的个人理解,非复制粘贴,不保证绝对准确。楼主可以参考一下即可。
打个简单的比方,一张纸,切割的时候,肯定是每块越小,切割的越多。
同样的cpu单个面积变小了,成本就降低了。
能耗高低根晶圆制作工艺理论上城正比的,更好的制作工艺可以降低cpu的工作电流、电压大小从而降低功率。
但实际上二者并非向很多人想象的那样完全成正比的。因为晶体管距离越近,漏电,电信号干扰等问题越突出,技术上处理的不好的话,就会造成功耗不降反升。
比如intel在130nm转向90nm时,对应的处理器是northwood核心的p4转向prescott核心的p4,后者虽然制作工艺好,但是功耗比前者大很多的。(当然后者的晶体管数目也比前者多)
制作工艺跟频率无直接关系,频率高低根cpu的内部设计有关。同时cpu的发热量也在限制频率的提升。因为温度太高,cpu运行会不稳定的。
但他们的间接关系在于,如果新制作工艺可以降低cpu的功耗的话,这样温度自然就降下来了,这也就造成了cpu频率可以进一步提升。因为cpu频率之所以不能升到特别高,主要还是温度的问题。
以上是根据自己所学的个人理解,非复制粘贴,不保证绝对准确。楼主可以参考一下即可。