内存和cpu的工艺有什么不一样

所谓45nm晶圆，是指的两个晶体管之间的距离，不是晶体管的长度。这个值越小，每2个晶体管间距越近，同一块硅晶圆片能够切割出来的晶体管就越多，这样成本就越低。
打个简单的比方，一张纸，切割的时候，肯定是每块越小，切割的越多。
同样的cpu单个面积变小了，成本就降低了。
能耗高低根晶圆制作工艺理论上城正比的，更好的制作工艺可以降低cpu的工作电流、电压大小从而降低功率。
但实际上二者并非向很多人想象的那样完全成正比的。因为晶体管距离越近，漏电，电信号干扰等问题越突出，技术上处理的不好的话，就会造成功耗不降反升。
比如intel在130nm转向90nm时，对应的处理器是northwood核心的p4转向prescott核心的p4，后者虽然制作工艺好，但是功耗比前者大很多的。（当然后者的晶体管数目也比前者多）
制作工艺跟频率无直接关系，频率高低根cpu的内部设计有关。同时cpu的发热量也在限制频率的提升。因为温度太高，cpu运行会不稳定的。
但他们的间接关系在于，如果新制作工艺可以降低cpu的功耗的话，这样温度自然就降下来了，这也就造成了cpu频率可以进一步提升。因为cpu频率之所以不能升到特别高，主要还是温度的问题。
以上是根据自己所学的个人理解，非复制粘贴，不保证绝对准确。楼主可以参考一下即可。