如题所述
第1个回答 2014-09-06
英文好的……
第2个回答 2014-09-07
当某些半导体材料(如GaAs)研磨抛光到一定厚度(100μm左右)时，它的光透过率特性曲线如图2所示。当温度升高时，透过率曲线向长波长方向移动，但曲线的形状不变。温度传感器正是利用了它的这种特性。
假如将光源的发光光谱I1加上去，就会发现随着温度的升高，透过GaAs的光强在逐步减校这样光探测器的输出电压也将随温度的升高而减校因此.通过测量光探测器的输出电压即可达到测温的目的。
但要达到精确的测温目的，还必须对GaAs的透过率特性有精确的描述。
砷化镓GaAs是典型的直接跃迁材料，当光子能量Ay大于禁带宽度Eg(t)时，对光的吸收系数可以写成即吸收系数和禁带宽度Eg(t)有直接的关系。而根据M.B.盘尼酉的研究，在20—973K的温度范围内，砷化镓材料的禁带宽度Eg(t)与温度t的关系式为：式中：Eg(0)为温度为0K的禁带能量，Eg(0)＝1.522eV；a为经验常数，a＝O.00058eV/K;6为经验常数，b＝300K.这样，就可看出吸收系数和温度的关系。最后，可以得出它的透过串T和吸收系数。的关系式(即和温度的关系式)：式中：R为反射系数；X为砷化镓材料的厚度；n1、n2为界面两侧的折射率。
有了透过率与温度的准确关系式，再综合发光管的光谱曲线方程和光探测器的光谱响应曲线方程，即可得到传感器的输出信号的数学方程为式中：D为常数；J(A)为发光管的光谱曲线方程；只(A)为光探测器的光谱响应曲线方程。
D的确定可以通过选择几个特定温度点，测量并记录此温度下的光探测器的输出电压，再进行换算获得。所选的特定温度点的选取必须覆盖整个测量范围，而且温度点数越多则修正精度越高。
为了排除干扰，提高温测量精度和稳定性，特别加入了一束参考光，即另外一个半导体发光二极管，其发光的光谱曲线如图2中的J2所示。由于它的光谱在砷化镓GaAs材料的透过率曲线右边，砷化稼GaAs材料对它不吸收，几乎完全透过，温度的变化对它的透过也几乎无影响。因此，可以把它作为参考光，来消除外界干扰和内部部件的老化的影响。
假如将光源的发光光谱I1加上去，就会发现随着温度的升高，透过GaAs的光强在逐步减校这样光探测器的输出电压也将随温度的升高而减校因此.通过测量光探测器的输出电压即可达到测温的目的。
但要达到精确的测温目的，还必须对GaAs的透过率特性有精确的描述。
砷化镓GaAs是典型的直接跃迁材料，当光子能量Ay大于禁带宽度Eg(t)时，对光的吸收系数可以写成即吸收系数和禁带宽度Eg(t)有直接的关系。而根据M.B.盘尼酉的研究，在20—973K的温度范围内，砷化镓材料的禁带宽度Eg(t)与温度t的关系式为：式中：Eg(0)为温度为0K的禁带能量，Eg(0)＝1.522eV；a为经验常数，a＝O.00058eV/K;6为经验常数，b＝300K.这样，就可看出吸收系数和温度的关系。最后，可以得出它的透过串T和吸收系数。的关系式(即和温度的关系式)：式中：R为反射系数；X为砷化镓材料的厚度；n1、n2为界面两侧的折射率。
有了透过率与温度的准确关系式，再综合发光管的光谱曲线方程和光探测器的光谱响应曲线方程，即可得到传感器的输出信号的数学方程为式中：D为常数；J(A)为发光管的光谱曲线方程；只(A)为光探测器的光谱响应曲线方程。
D的确定可以通过选择几个特定温度点，测量并记录此温度下的光探测器的输出电压，再进行换算获得。所选的特定温度点的选取必须覆盖整个测量范围，而且温度点数越多则修正精度越高。
为了排除干扰，提高温测量精度和稳定性，特别加入了一束参考光，即另外一个半导体发光二极管，其发光的光谱曲线如图2中的J2所示。由于它的光谱在砷化镓GaAs材料的透过率曲线右边，砷化稼GaAs材料对它不吸收，几乎完全透过，温度的变化对它的透过也几乎无影响。因此，可以把它作为参考光，来消除外界干扰和内部部件的老化的影响。
第3个回答 2014-09-06
好的的意思呗
第4个回答 2014-09-06
ok
第5个回答 2014-09-06
好的
