如题所述
1996年于北京师范大学获博士学位；1996年至1998年中科院半导体所博士后；1998年至2000年比利时安特卫普大学Research Fellow；2006年香港中文大学杨振宁Fellowship。2001年获得百人计划资助任中科院半导体所研究员。2004年度国家自然科学二等奖获得者之一（夏建白、李树深、常凯、朱邦芬）。2005年度国家杰出青年基金获得者。研究领域主要是半导体纳米结构的物理性质和半导体自旋电子学。在国际核心物理学期刊上共发表论文几十篇。
从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应，并被国际上著名的实验组证实和引用。在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究，并预言了可能存在II型激子。发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子，解释了A.C.Gossard小组观测到的反常实验现象。
主要研究工作集中在半导体自旋电子学方面。系统细致地研究了不同自旋注入方案的优缺点。尤其是稀磁半导体量子点注入方案可以克服强磁场的障碍，实验结果支持我们的方案。研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻，理论与实验十分吻合。在此基础上，考虑自旋－轨道耦合，发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。
研究兴趣
1. 低维半导体结构中自旋－轨道耦合和自旋霍尔效应；
2. 自旋态的弛豫和相干控制；
3. 磁性半导体；
4. 半导体纳米结构的能带计算；
5. 介观结构中自旋和电荷输运。
完成/在研主要项目
国家自然科学基金面上项目：半导体纳米结构的光学性质(2000－2002)，特优；
百人计划基金：半导体中自旋电子学 (2001－2003)。
杰出青年基金 （2006－2010）
代表性论著：
1. Spatially separated excitons in quantum-dot quantum wells, Kai Chang, J.B. Xia, Phys. Rev. B 57, 9780(1998).
2. Quantum-confined Stark effect in GaAs/Al0.4Ga0.6As V-shaped quantum wires, Kai Chang, Jian-Bai Xia Phys. Rev. B 58, 2031(1998).
3. Bright to dark exciton transition in symmetric coupled quantum wells induced by an in-plane magnetic field, Kai Chang and F. M. Peeters, Phys. Rev. B 63, 153307 (2001).
4. Oscillating magnetoresistance through diluted magnetic semiconductor barriers,Kai Chang, J.B.Xia and F.M.Peeters, Phys. Rev. B 65 115209(2002).
5. Longitudinal spin transport in diluted magnetic semiconductor superlattice,Kai Chang, Jian-Bai Xia and F.M.Peeters Phys. Rev. B 65 155211(2002).
6. Quantum-confined magneto-Stark effect in diluted magnetic semiconductor double quantum wells, Kai Chang, et al. , Appl. Phys. Lett. 80, 1788(2002).
7. Magnetic field tuning of the effective g factor in a diluted magnetic semiconductor quantum dot, Kai Chang et al., Appl. Phys. Lett. 82, 2661 (2003).
8. Nonlinear Rashba model and spin relaxation in quantum wells, W. Yang and Kai Chang, Phys. Rev. B 73, 113303 (2006)；
9. Spin states and persistent currents in mesoscopic rings: spin-orbit interactions, J. S. Sheng and Kai Chang, Phys. Rev. B 74, 235315(2006).
10. Tunable giant Faraday rotation of exciton in semiconductor quantum wells embedded in a mirocavity, J. T. Liu, and Kai Chang, Appl. Phys. Lett. 90, 061114 (2007). 11. Tuning of energy levels and optical properties of graphene quantum dots, Z. Z. Zhang, Kai Chang, Phys. Rev. B 77, 235411 (2008). 6. Intrinsic Spin Hall Effect induced by uantum phase transition in HgCdTe Quantum Wells, W. Yang, Kai Chang and S. C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 100, 056602 (2008);
12. Electrical switching of the edge channel transport in HgTe quantum wells with an inverted band structure, L. B. Zhang, F. Cheng, F. Zhai, and Kai Chang, Phys. Rev. B 83, 081402(Rapid Communication) (2011);
13. Electrically Controllable Surface Magnetism on the Surface of Topological Insulators, J. J. Zhu, D. X. Yao, S. C. Zhang, and Kai Chang, Phys. Rev. Lett. 106, 097201 (2011);
14. Valley-Dependent Brewster Angles and Goos-Hanchen Effect in Strained Graphene Z. Wu, F. Zhai, F. M. Peeters, H. Q. Xu, and Kai Chang, Phys. Rev. Lett. 106, 176802 (2011);
15. Helical Quantum States in HgTe Quantum Dots with Inverted Band Structures
Kai Chang and Wen-Kai Lou Phys. Rev. Lett. 106, 206802 (2011);
