THE LAB EQUIPMENTS FOR POLYSILICON
According to ASTM, we need the following equipments for test on polysilicon in lab:
1.Analytical methods for Silicon polycrystal
The impurities in this product are at very low level, lower than the detection limits of the traditional analytical techniques; in the past alternative measurement methods have been developed in order to simulate/understand the final contamination on the devices.
In general terms the chemical impurities are measured in a silicon rod obtained through the deposition of a small Trichloro silane(三氯硅烷) sample on dedicated pilot test reactors or directly from a core sample taken from a produced polysilicon rod; both are refined by Float-zone technique (the sampling operation are performed according to the relative ASTM F1723-02 - "Standard Practice for Evaluation of Polycrystalline Silicon Rods by Float-Zone Crystal Growth and Spectroscopy”).
The conductivity type (defining the nature of the majority carriers) and resistivity are found at the seed, middle and tang end of the rod; the type is determined in accordance with ASTM F42-02 ("Test Methods for Conductivity type of Extrinsic Semiconducting Materials"), and resistivity is determined in accordance with ASTM F397-02("Test Methods for Resistivity of Silicon Bars Using a Two-Point Probe").
A section of this single-crystalline ingot is cut and the slice (double side polished) cooled at liquid helium temperature to measure by Fourier Transform Infrared Spectroscopy the group III/V impurities contamination (according to DIN 50438-3 – ASTM f1630-00).
A second slice is cut and double side polished for substitutional atomic carbon determination using a room temperature Fourier Transform Infrared Spectroscopy (according to ASTM F 1391-93 / 2000 - "Test Method for Substitutional Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption").
The quantitative determination of surface trace metal contamination is performed using an acid solution to extract the metals from the surface of polycrystalline silicon. The metals content in the rinsing solution is then analysed by Graphite Furnace Atomic-Absorption Spectroscopy (according to ASTM F1724-01 - Test Method for Measuring Surface Metal Contamination of Polycrystalline Silicon by Acid Extraction-Atomic Absorption Spectroscopy)
About bulk metals, those are determined by Neutron Activation Analysis directly from polysilicon chunk.
The measurements are conducted on FZ samples (referring to ASTM 1723-02)
要有点诚意的翻译
分不是问题
1.分析的方法为矽 polycrystal
在这一种产品的杂质在非常低的水平, 比传统分析的技术的发现极限低; 过去，其它可能的测量方法在装置上已经被发展为了要模拟/了解最后的污染。
大体上称化学的杂质在热衷的飞行员测试反应者上被获得过小 Trichloro silane(三氯硅烷) 样品的沈淀的矽竿中被测量或者直接地从一个核心抽取样品从一支被生产的 polysilicon 竿拿; 两者都被漂流物-地域技术精炼 (抽取样品操作依照比较的美国材料试验学会 F1723-02 被运行 - " Polycrystalline 矽漂流物-地域水晶生长和光谱学的竿评估的标准练习 ").
导电率类型 (定义多数运送者的性质) 和抵抗力在竿的种子、中央和强烈的味道结束被发现; 类型符合美国材料试验学会 F42-02(" 非固有半导体的材料导电率类型的测试方法 ") 被决定，而且抵抗力符合美国材料试验学会 F397-02(" 矽的抵抗力的测试方法酒吧使用一个二点的探针 ") 被决定。
一个这个单一水晶的锭区段是削减，而且薄的切片 (两倍的旁擦亮的) 在液体的氦温度冷却了根据傅立叶变换红外线的光谱学测量小组 3/V 杂质污染。 (根据絮聒不休地说 50438-3 美国材料试验学会 f 的 1630-00)
一个第二个薄的切片是削减而且加倍旁的擦亮为使用室温傅立叶的代理的原子碳决心转换红外线的光谱学 (依照美国材料试验学会 F 1391-93/2000- " 为红外线吸收的矽的代理碳内容测试方法 ").
表面痕迹的数量决心金属制的污染被运行使用酸的解决吸取来自 polycrystalline 矽的表面的金属。 金属在冲洗解决内的内容然后被石墨火炉原子-吸收光谱学分析 (依照美国材料试验学会 F1724-01-为酸抽出-原子的吸收光谱学的 Polycrystalline 矽的测定表面金属制污染测试方法)
有关大多数金属，那些从 polysilicon 大块直接地被中子使活动分析决定。
测量在 FZ 样品上被引导 (提及美国材料试验学会 1723-02)
依照美国材料试验学会, 我们在实验室中的 polysilicon 上为测试需要下列的设备:
1.为矽 polycrystal 的分析方法
在这一种产品的杂质在非常低的水平, 比传统分析的技术的发现极限低; 过去，其它可能的测量方法在装置上已经被发展为了要模拟/了解最后的污染。
大体上化学的杂质被在热衷的飞行员测试反应者上被获得过小 Trichloro silane(三氯硅烷) 的沈淀样品的一支矽竿或直接地从从一支被生产的 polysilicon 竿被带的一个核心样品测量的期限; 两者都被漂流物-地域技术精炼 (依照比较的美国材料试验学会 F1723-02 抽取样品操作被运行 - " 漂流物-地域水晶生长和光谱学的 Polycrystalline 矽竿的评估的标准练习 ").
导电率类型 (定义多数运送者的性质) 和抵抗力在竿的种子，中央和强烈的味道结束被发现; 类型符合美国材料试验学会 F42-02(" 非固有半导体的材料导电率类型的测试方法 ") 被决定，而且抵抗力符合美国材料试验学会 F397-02(" 使用一个二点的调查矽酒吧的抵抗力的测试方法 ") 被决定。
一个这个单一水晶的锭区段被切割和在液体的氦温度被冷却测量的薄的切片 (两倍的旁擦亮的) 在～手边傅立叶转换红外线的光谱学团体 3/V 杂质污染.(根据絮聒不休地说 50438-3 美国材料试验学会的 f 1630-00)
一个第二个薄的切片是削减而且加倍旁的对于使用室温傅立叶的代理的原子碳决心是擦亮的转换红外线的光谱学 (依照美国材料试验学会 F 1391-93/2000- " 为红外线吸收的矽的代理碳内容测试方法 ").
表面痕迹金属污染的数量决心被运行使用酸的解决吸取来自 polycrystalline 矽的表面的金属。 金属在冲洗解决内的内容然后被石墨火炉分析原子-吸收光谱学 (依照美国材料试验学会 F1724-01- 为测量酸抽出-原子的吸收光谱学的 Polycrystalline 矽的表面金属制污染测试方法)
有关大多数金属，那些从 polysilicon 大块直接地被中子使活动分析决定。
测量在 FZ 样品上被引导 (提及美国材料试验学会 1723-02)
导电率类型 (定义多数运送者的性质) 和抵抗力在竿的种子、中央和强烈的味道结束被发现; 类型符合美国材料试验学会 F42-02(" 非固有半导体的材料导电率类型的测试方法 ") 被决定，而且抵抗力符合美国材料试验学会 F397-02(" 矽的抵抗力的测试方法酒吧使用一个二点的探针 ") 被决定。本回答被提问者采纳
