如题所述
设1.35V。
ddr4内存时序参数3200（16）8G×16，CL16-16-161.35V为好，默认DDR42133，1.2V，加载XMP可以直接提升频率为DDR4320016-16-16-362T，高频下的电压为1.35V。
ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序，首先应该从调整第二时序入手，放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率。ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同，第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大。ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当放宽以提高超频后的稳定性，tRRD对性能的影响则比较大，尽量避免牺牲tRRD来换取高频；第三时序虽然不起眼而且经常被遗忘，但是其对性能的影响也不小，不建议牺牲第三时序来换取高频，尤其是tRDRD和tWRWR。
ddr4内存时序参数3200（16）8G×16，CL16-16-161.35V为好，默认DDR42133，1.2V，加载XMP可以直接提升频率为DDR4320016-16-16-362T，高频下的电压为1.35V。
ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序，首先应该从调整第二时序入手，放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率。ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同，第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大。ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当放宽以提高超频后的稳定性，tRRD对性能的影响则比较大，尽量避免牺牲tRRD来换取高频；第三时序虽然不起眼而且经常被遗忘，但是其对性能的影响也不小，不建议牺牲第三时序来换取高频，尤其是tRDRD和tWRWR。
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