如题所述
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数,也就是tRAS和CMD(Command缩写),是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误,因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的说法,CMDRate是一种芯片组意义上的延迟,它并不全由内存决定,是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。
不难估计,高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大,其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大,即使是双面单条。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数,也就是tRAS和CMD(Command缩写),是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误,因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的说法,CMDRate是一种芯片组意义上的延迟,它并不全由内存决定,是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。
不难估计,高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大,其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大,即使是双面单条。
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第1个回答 2022-08-31
时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中,可通过参数手动设置。
的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为。它们通常被写为四个用分隔开的数字,例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)经常被省略,而有时还会加入第五个参数:Command rate(命令速率),通常为2T或1T,也写作2N、1N。
这些参数指定了影响速度的潜伏时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间,通常以纳秒为单位。当将内存时序转换为实际的延迟时,最重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间,就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。
举例来说,DDR3-2000内存的是1000 MHz,其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟,CL=7给出的绝对延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666(时钟1333 MHz,每个周期0.75 ns)则可能用更大的CL=9,但产生的绝对延迟6.75 ns更短。
现代DIMM包括一个串行存在检测(SPD)ROM芯片,其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能(存在降低稳定性的风险),或在某些情况下增加稳定性(如使用建议的时序)。
以上内容参考
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