如题所述
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
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第1个回答 2012-02-01
2SD882S(3DA882S) 硅NPN 半导体三极管
用途:用于3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动
参数符号
VCBO 40 V
VCEO 30 V
VEBO 5.0 V
IC 3.0 A
PC 1.0 W
Tj 150 ℃
Tstg -55～150 ℃追问
用途:用于3 瓦音频放大输出,电压调节器,电源转换和继电器驱动
参数符号
VCBO 40 V
VCEO 30 V
VEBO 5.0 V
IC 3.0 A
PC 1.0 W
Tj 150 ℃
Tstg -55～150 ℃追问
没有的话用什么带换一下
追答可以用TIP41替代
可以用3807代换882。2SC3807 NPN 30V 2A 15W， D882NPN 40V 3A 10W，MJE13005 NPN 400V 4A 60W 。
第2个回答 2012-02-01
2SD882，一只40V耐压电流3A功耗10W的三极管。
第3个回答 2012-02-01
小功率NPN管
