如题所述
igbt是达林顿结构,mos不是。
igbt和mos都需要一定的门槛电压(vgsth)来触发打开
但是由于igbt的达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,mos相对较小。
相对的,igbt的开关频率普遍较低(30~50k以下)而电流较大(可达1000a)。
mosfet的开关频率可达500k,而rms电流普遍较低(一般不超过100a)
igbt和mos都需要一定的门槛电压(vgsth)来触发打开
但是由于igbt的达林顿结构导致寄生电容偏大,故需要一定的门极驱动能力,mos相对较小。
相对的,igbt的开关频率普遍较低(30~50k以下)而电流较大(可达1000a)。
mosfet的开关频率可达500k,而rms电流普遍较低(一般不超过100a)
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第1个回答 2019-06-24
IGBT是双极型器件和MOS器件的结合体,MOS是电压型器件