下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

扩展资料

SRAM可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。

存取周期为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短，运算速度愈快，但对存储元件及工艺的要求也愈高。

例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。

参考资料来源：百度百科-存取周期

参考资料来源：百度百科-SRAM