1A ,One charge transport mechanism in a semiconductor is carrier drift, which is the flow of carriers due to an applied electric field,
B, Carriers reach an average drift velocity due to scattering events in a semiconductor with an applied electric field. Two scattering events within a semiconductor are lattice scattering and ionized impurity scattering.
C, The average drift velocity is a linear function of the applied electric field for small values of electric field, but the drift velocity reaches a saturation limit that is on the order of 10七次方cm/s for electric fields on the order of 10四次方V/cm.
D,Carrier mobility is the ratio of the average drift velocity to the applied electric field. The electron and hole mobilities are functions of temperature and of the ionized impurity concentration.
E, The drift current density is the product of conductivity and electric field(a form of Ohm's law). Conductivity is a function of the carrier concentrations and mobilities.Resistivity is the inverse of conductivity.
2,A , The second charge transport mechanism in a semiconductor is carrier diffusion, which is the flow of charge due to a gradient in carrier concentration.
B, The diffusion current density is proportional to the diffusion coefficient and the gradient in carrier concentration.
3,A, An electric field is induced in a semiconductor in thermal equilibrium that has a nonuniform impurity doping concentration.
B, The diffusion oefficient and mobility are related through the Einstein relation.
4, A, Generation is the process whereby electrons and holes are created; recombination is the process whereby electrons and holes are annihilated.
B, Generation and recombination rates were defined for thermal equilibrium and for nonequilibrium excess carriers.
C, Excess minority-carrier lifetimes were discussed and defined.
5, The Hall effect is a consequence of a charged carrier moving in the presence of perpendicular electric and magnetic fields. The chargeed carrier is deflected, inducing a Hall voltage. The polarity of the Hall voltage is a function of the semiconductor conductivity type. The majority-carrier concentration and mobility can be determined from the Hall volrage.
第1A,充一次电在半导体的传输机制是承运人漂移,这是由于运营商施加电场流,
B,运营商达成的平均漂移速度,由于在半导体散射事件与外加电场。在半导体的两个事件是晶格散射散射和电离杂质散射。
ç,平均漂移速度是一个电场的电场小值的线性函数,但漂移速度达到饱和限制,对10七次方厘米订单/ S对电力领域的顺序10四次方V / cm的。
研发,载流子迁移是平均漂移速度比外加电场。电子和空穴的迁移率是温度和电离杂质浓度的功能。
E的漂移电流密度的电导率和电场(一欧姆定律的形式)的产品。导电的载体功能和mobilities.Resistivity浓度是电导率逆。
2,A,第二个负责半导体的传输机制是载流子扩散,这是由于电荷载体在浓度梯度流。
b,将扩散电流密度成正比的扩散系数和载流子浓度梯度中。
3,A,是诱发电场在半导体中的热平衡,有一个非均匀掺杂的杂质浓度。
B,扩散和移动性相关oefficient通过爱因斯坦的关系。
4,A,发电,使电子和空穴的创建过程,即重组是电子和空穴被消灭的过程。
B,发电和重组率被定义为热平衡和非平衡过剩的载体。
ç,过剩少数载流子寿命进行了讨论和界定。
5,霍尔效应是一种带电的垂直的电场和磁场的存在运动载体的结果。承运人的chargeed偏转,诱导霍尔电压。霍尔电压的极性是一种半导体导电类型的功能。多数载流子浓度和迁移率可以由霍尔volrage.
楼主,这是我亲手翻译先给您的,谢谢。
希望您能采纳!!
乙,运营商达成的平均漂移速度,由于在半导体散射事件与外加电场。在半导体的两个事件是晶格散射散射和电离杂质散射。
ç,平均漂移速度是一个电场的电场小值的线性函数,但漂移速度达到饱和限制,对10七次方厘米订单/ S对电力领域的顺序10四次方V / cm的。
研发,载流子迁移是平均漂移速度比外加电场。电子和空穴的迁移率是温度和电离杂质浓度的功能。
E的漂移电流密度的电导率和电场(一欧姆定律的形式)的产品。导电的载体功能和mobilities.Resistivity浓度是电导率逆。
2,A,第二个负责半导体的传输机制是载流子扩散,这是由于电荷载体在浓度梯度流。
b,将扩散电流密度成正比的扩散系数和载流子浓度梯度中。
3,甲,是诱发电场在半导体中的热平衡,有一个非均匀掺杂的杂质浓度。
乙,扩散和移动性相关oefficient通过爱因斯坦的关系。
4,甲,发电,使电子和空穴的创建过程,即重组是电子和空穴被消灭的过程。
乙,发电和重组率被定义为热平衡和非平衡过剩的载体。
ç,过剩少数载流子寿命进行了讨论和界定。
5,霍尔效应是一种带电的垂直的电场和磁场的存在运动载体的结果。承运人的chargeed偏转,诱导霍尔电压。霍尔电压的极性是一种半导体导电类型的功能。多数载流子浓度和迁移率可以由霍尔volrage。
B,航空公司达成平均漂移速度由于散射事件应用半导体的电场。在半导体两散射事件是格散射和离子杂质散射。
C,平均漂移速度是线性函数的电场的电场小价值,但漂移速度达到饱和限制,在10七次方cm / s的顺序,以电场10四次方V /厘米。
D、载体流动的平均比漂移速度所使用的电场。电子和洞的温度和功能mobilities杂质离子的浓度。
艾凡、漂流为主的电流密度是产品的电导率和电场(一种欧姆定律)。电导率是一个函数的承运人浓度和mobilities . 电阻率是反过来的导率。
两个,一个,第二个电荷传输机制在半导体中扩散,这是为载体的流动由于梯度主管承运人的浓度。
乙,扩散电流密度是成正比的扩散系数和梯度承运人的浓度。
3、、电场感应半导体在热平衡,杂质非均匀掺杂浓度。
乙,扩散和灵活性oefficient相关通过爱因斯坦的关系。
4日的结算过程,即,产生电子和漏洞是创建,重组过程,即是电子和漏洞是被消灭。
B,产生与重组率定义和非热平衡多余的载体。
C,多余的minority-carrier寿命进行了讨论和定义。
5个,霍尔效应而造成的后果航母保持移动在他面前收取垂直电场和磁场。chargeed载波的反射,引起大厅电压。大厅的极性的电压是一个函数的半导体传导性。majority-carrier浓度和流动的从大厅里可以确定volrage。