如题所述
1.Vref是参考电压，VTT用作上拉，稳定信号传输，VREF在DDR1， DDR2，DDR3内存插槽的1脚上都能测量到，VTT电压在内存插槽旁边的排阻上测量，DDR3的VTT电压值可以在120/240脚测量，VTT和VREF电压值为内存主供电电压值得一半。为了方便起见，可以用内存打值卡比较方便。 内存VTT电压。VTT是AGTL总线终端电压。针对不同型号的CPU有1.8V，1.5V，1.125.测量点在cpu插座旁边,有很多56 的排阻。
“CPU GTL REF0/1”（处理器信号参考基准）：一般适当降低这个数值能够促进处理器超频后的稳定，略微提升处理器主频上限。在微星P45白金版上这个电压区间直接以电压值的形式体现，其最低设定值0.6979V/1.1V=0.634x，经多次以往实验证明这个区间较为适合现有的45nm Core 2处理器，但不排除特殊体质差异。选项末尾的0、1代表分别针对的处理器核心。
2.“DRAM Voltage”（内存电压）：内存电压与处理器电压类似，决定着内存的超频能力和稳定性，但具体也要根据不同内存芯片的体质、属性设定。
“DDR_VREF_A/B”(内存信号参考基准)：跟CPU GTL REF原理相同，可分辨针对通道A和B独立调节，适合在用于组建双通道的两条内存体质有加大差异的情况下调节。不推荐普通超频玩家尝试更改，设为Auto是比较理想的状态。
网上找的 希望有用
“CPU GTL REF0/1”（处理器信号参考基准）：一般适当降低这个数值能够促进处理器超频后的稳定，略微提升处理器主频上限。在微星P45白金版上这个电压区间直接以电压值的形式体现，其最低设定值0.6979V/1.1V=0.634x，经多次以往实验证明这个区间较为适合现有的45nm Core 2处理器，但不排除特殊体质差异。选项末尾的0、1代表分别针对的处理器核心。
2.“DRAM Voltage”（内存电压）：内存电压与处理器电压类似，决定着内存的超频能力和稳定性，但具体也要根据不同内存芯片的体质、属性设定。
“DDR_VREF_A/B”(内存信号参考基准)：跟CPU GTL REF原理相同，可分辨针对通道A和B独立调节，适合在用于组建双通道的两条内存体质有加大差异的情况下调节。不推荐普通超频玩家尝试更改，设为Auto是比较理想的状态。
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第1个回答 2020-02-20
Vref是参考电压，VTT用作上拉，稳定信号传输，VREF在DDR1，DDR2，DDR3内存插槽的1脚上都能测量到，VTT电压在内存插槽旁边的排阻上测量，DDR3的VTT电压值可以在120/240脚测量，VTT和VREF电压值为内存主供电电压值得一半。为了方便起见，可以用内存打值卡比较方便。
