如题所述
ææ ·çå¤è¡¨è¾¨å«å
åæ¡ç大å°
å åæ¡å¯ä»¥éè¿æ¥çå åé¢ç²çåå·æ¥ç¡®è®¤å ¶å®¹é大å°ã
ä¸é¢å°±ä»¥å 个大åçå åé¢ç²ç¼ç è§å为ä¾æ¥è¯´æå å容éç辨è¯æ¹æ³ã
ä¸æå åé¢ç²
ç®å使ç¨ä¸æçå åé¢ç²æ¥ç产å åæ¡çå家é常å¤ï¼å¨å¸åºä¸æå¾é«çå æçãç±äºå ¶äº§å线åºå¤§ï¼æ以ä¸æå åé¢ç²çå½åè§åé常å¤æãä¸æå åé¢ç²çåå·éç¨ä¸ä¸ª16ä½æ°åç¼ç å½åçãè¿å ¶ä¸ç¨æ·æ´å ³å¿çæ¯å å容éåå·¥ä½éççè¯å«ï¼æ以æ们éç¹ä»ç»è¿ä¸¤é¨åçå«ä¹ã
ç¼ç è§åï¼K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主è¦å«ä¹ï¼
第1ä½ââè¯çåè½Kï¼ä»£è¡¨æ¯å åè¯çã
第2ä½ââè¯çç±»å4ï¼ä»£è¡¨DRAMã
第3ä½ââè¯ççæ´è¿ä¸æ¥çç±»å说æï¼S代表SDRAMãH代表DDRãG代表SGRAMã
第4ã5ä½ââ容éåå·æ°éçï¼å®¹éç¸åçå åéç¨ä¸åçå·æ°éçï¼ä¹ä¼ä½¿ç¨ä¸åçç¼å·ã64ã62ã63ã65ã66ã67ã6A代表64Mbitç容éï¼28ã27ã2A代表128Mbitç容éï¼56ã55ã57ã5A代表256Mbitç容éï¼51代表512Mbitç容éã
第6ã7ä½ââæ°æ®çº¿å¼è个æ°ï¼08代表8ä½æ°æ®ï¼16代表16ä½æ°æ®ï¼32代表32ä½æ°æ®ï¼64代表64ä½æ°æ®ã
第11ä½ââè¿çº¿â-âã
第14ã15ä½ââè¯ççéçï¼å¦60为6nsï¼70为 7nsï¼7B为7.5ns (CL=3)ï¼7C为7.5ns (CL=2) ï¼80为 8nsï¼10 为10ns (66MHz)ã
ç¥éäºå åé¢ç²ç¼ç 主è¦æ°ä½çå«ä¹ï¼æ¿å°ä¸ä¸ªå åæ¡åå°±é常容æ计ç®åºå®ç容éãä¾å¦ä¸æ¡ä¸æDDRå åï¼ä½¿ç¨18çSAMSUNG K4H280838B-TCB0é¢ç²å°è£ ãé¢ç²ç¼å·ç¬¬4ã5ä½â28â代表该é¢ç²æ¯128Mbitsï¼ç¬¬6ã7ä½â08â代表该é¢ç²æ¯8ä½æ°æ®å¸¦å®½ï¼è¿æ ·æ们å¯ä»¥è®¡ç®åºè¯¥å åæ¡ç容éæ¯128Mbitsï¼å æ°ä½ï¼ à 16ç/8bits=256MBï¼å åèï¼ã
注ï¼âbitâ为âæ°ä½âï¼âBâå³åèâbyteâï¼ä¸ä¸ªåè为8ä½å计ç®æ¶é¤ä»¥8ãå ³äºå å容éç计ç®ï¼æä¸æ举çä¾åä¸æ两ç§æ åµï¼ä¸ç§æ¯éECCå åï¼æ¯8ç8ä½æ°æ®å®½åº¦çé¢ç²å°±å¯ä»¥ç»æä¸æ¡å åï¼å¦ä¸ç§ECCå åï¼å¨æ¯64ä½æ°æ®ä¹åï¼è¿å¢å äº8ä½çECCæ ¡éªç ãéè¿æ ¡éªç ï¼å¯ä»¥æ£æµåºå åæ°æ®ä¸ç两ä½é误ï¼çº æ£ä¸ä½é误ãæ以å¨å®é 计ç®å®¹éçè¿ç¨ä¸ï¼ä¸è®¡ç®æ ¡éªä½ï¼å ·æECCåè½ç18çé¢ç²çå åæ¡å®é 容éæ16ä¹ãå¨è´ä¹°æ¶ä¹å¯ä»¥æ®æ¤å¤å®18çæè 9çå åé¢ç²è´´ççå åæ¡æ¯ECCå åã
Micronå åé¢ç²
Micronï¼ç¾å ï¼å åé¢ç²ç容é辨è¯ç¸å¯¹äºä¸ææ¥è¯´ç®å许å¤ãä¸é¢å°±ä»¥MT48LC16M8A2TG-75è¿ä¸ªç¼å·æ¥è¯´æç¾å å åçç¼ç è§åã
å«ä¹ï¼
MTââMicronçååå称ã
48ââå åçç±»åã48代表SDRAMï¼46 代表DDRã
LCââä¾çµçµåãLC代表3Vï¼C 代表5Vï¼V 代表2.5Vã
16M8ââå åé¢ç²å®¹é为128Mbitsï¼è®¡ç®æ¹æ³æ¯ï¼16Mï¼å°åï¼Ã8ä½æ°æ®å®½åº¦ã
A2ââå åå æ ¸çæ¬å·ã
TGââå°è£ æ¹å¼ï¼TGå³TSOPå°è£ ã
-75ââå åå·¥ä½éçï¼-75å³133MHzï¼-65å³150MHzã
å®ä¾ï¼ä¸æ¡Micron DDRå åæ¡ï¼éç¨18çç¼å·ä¸ºMT46V32M4-75çé¢ç²å¶é ã该å åæ¯æECCåè½ãæ以æ¯ä¸ªBankæ¯å¥æ°çå åé¢ç²ã
å ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼å®¹é32M Ã4bit Ã16 ç/ 8=256MBï¼å åèï¼ã
西é¨åå åé¢ç²
ç®åå½å å¸åºä¸è¥¿é¨åçåå ¬å¸Infineonç产çå åé¢ç²åªæ两ç§å®¹éï¼å®¹é为128Mbitsçé¢ç²å容é为256Mbitsçé¢ç²ãç¼å·ä¸è¯¦ç»ååºäºå ¶å åç容éãæ°æ®å®½åº¦ãInfineonçå åéåç»ç»ç®¡ç模å¼é½æ¯æ¯ä¸ªé¢ç²ç±4个Bankç»æãæä»¥å ¶å åé¢ç²åå·æ¯è¾å°ï¼è¾¨å«ä¹æ¯æ容æçã
HYB39S128400å³128MB/ 4bitsï¼â128âæ è¯çæ¯è¯¥é¢ç²ç容éï¼åä¸ä½æ è¯çæ¯è¯¥å åæ°æ®å®½åº¦ãå ¶å®ä¹æ¯å¦æ¤ï¼å¦ï¼HYB39S128800å³128MB/8bitsï¼HYB39S128160å³128MB/16bitsï¼HYB39S256800å³256MB/8bitsã
Infineonå åé¢ç²å·¥ä½éçç表示æ¹æ³æ¯å¨å ¶åå·æåå ä¸ç线ï¼ç¶åæ ä¸å·¥ä½éçã
-7.5ââ表示该å åçå·¥ä½é¢çæ¯133MHzï¼
-8ââ表示该å åçå·¥ä½é¢çæ¯100MHzã
ä¾å¦ï¼
1æ¡Kingstonçå åæ¡ï¼éç¨16çInfineonçHYB39S128400-7.5çå åé¢ç²ç产ãå ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼ 128Mbitsï¼å æ°ä½ï¼Ã16ç/8=256MBï¼å åèï¼ã
1æ¡Ramaxelçå åæ¡ï¼éç¨8çInfineonçHYB39S128800-7.5çå åé¢ç²ç产ãå ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼ 128Mbitsï¼å æ°ä½ï¼ à 8 ç/8=128MBï¼å åèï¼ã
Kingmaxå åé¢ç²
Kingmaxå åé½æ¯éç¨TinyBGAå°è£ ï¼Tiny ball grid arrayï¼ã并ä¸è¯¥å°è£ 模å¼æ¯ä¸å©äº§åï¼æ以æ们çå°éç¨Kingmaxé¢ç²å¶ä½çå åæ¡å ¨æ¯è¯¥åèªå·±ç产ãKingmaxå åé¢ç²æ两ç§å®¹éï¼64Mbitså128Mbitsãå¨æ¤å¯ä»¥å°æ¯ç§å®¹éç³»åçå åé¢ç²åå·å表åºæ¥ã
容éå¤æ³¨ï¼
KSVA44T4A0Aââ64Mbitsï¼16Må°åç©ºé´ Ã 4ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV884T4A0Aââ64Mbitsï¼8Må°åç©ºé´ Ã 8ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV244T4XXXââ128Mbitsï¼32Må°åç©ºé´ Ã 4ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV684T4XXXââ128Mbitsï¼16Må°åç©ºé´ Ã 8ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV864T4XXXââ128Mbitsï¼8M å°åç©ºé´ Ã 16ä½æ°æ®å®½åº¦ã
Kingmaxå åçå·¥ä½éçæåç§ç¶æï¼æ¯å¨åå·åç¨ç线符å·éå¼æ è¯å åçå·¥ä½éçï¼
-7AââPC133 /CL=2ï¼
-7ââPC133 /CL=3ï¼
-8AââPC100/ CL=2ï¼
-8ââPC100 /CL=3ã
ä¾å¦ä¸æ¡Kingmaxå åæ¡ï¼éç¨16çKSV884T4A0A-7A çå åé¢ç²å¶é ï¼å ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼ 64Mbitsï¼å æ°ä½ï¼Ã16ç/8=128MBï¼å åèï¼ã
HYUNDAIï¼ç°ä»£ï¼
ç°ä»£çSDRAMå åå ¼å®¹æ§é常好ï¼æ¯æDIMMç主æ¿ä¸è¬é½å¯ä»¥é¡ºå©ç使ç¨å®ï¼å ¶SDRAMè¯çç¼å·æ ¼å¼ä¸ºï¼HY 5a b cde fg h i j k lm-no
å ¶ä¸HY代表ç°ä»£ç产åï¼5a表示è¯çç±»å(57=SDRAMï¼5D=DDRSDRAM)ï¼b代表工ä½çµå(空ç½=5Vï¼V=3.3V,U=2.5V)ï¼cde代表容éåå·æ°é度ï¼16=16Mbitsã4K Refï¼64=64Mbitsã8K Refï¼65=64Mbitsã4K Refï¼128=128Mbitsã8K Refï¼129=128Mbitsã4K Refï¼256=256Mbitsã16K Refï¼257=256Mbitsã8K Refï¼ï¼fg代表è¯çè¾åºçæ°æ®ä½å®½ï¼40ã80ã16ã32åå«ä»£è¡¨4ä½ã8ä½ã16ä½å32ä½ï¼ï¼h代表å åè¯çå é¨ç±å 个Bankç»æï¼1ã2ã3åå«ä»£è¡¨2个ã4个å8个Bankï¼æ¯2çå¹æ¬¡å ³ç³»ï¼ï¼I代表æ¥å£ï¼0=LVTTLãLow Voltage TTLãæ¥å£ï¼ï¼j代表å æ ¸çæ¬ï¼å¯ä»¥ä¸ºç©ºç½æAãBãCãDçåæ¯ï¼è¶å¾å代表å æ ¸è¶æ°ï¼ï¼k代表åèï¼L=ä½åèè¯çï¼ç©ºç½=æ®éè¯çï¼ï¼lm代表å°è£ å½¢å¼ï¼JC=400mil SOJï¼TC=400mil TSOP-IIï¼TD=13mm TSOP-IIï¼TG=16mm
TSOP-IIï¼ï¼no代表é度ï¼7=7nsã143MHzãï¼8=8nsã125MHzãï¼10p=10nsãPC-100CL2æ3ãï¼10s=10nsãPC-100 CL3ãï¼10=10nsã100MHzãï¼12=12nsã83MHzãï¼15=5nsã66MHzãï¼ã
ä¾å¦HY57V658010CTC-10sï¼HY表示ç°ä»£çè¯çï¼57代表SDRAMï¼65æ¯64Mbitå4Krefresh cycles/64msï¼8æ¯8ä½è¾åºï¼10æ¯2个Bankï¼Cæ¯ç¬¬4个çæ¬çå æ ¸ï¼TCæ¯400mil TSOP-â ¡å°è£ ï¼10S代表CL=3çPC-100
å åæ¡å¯ä»¥éè¿æ¥çå åé¢ç²çåå·æ¥ç¡®è®¤å ¶å®¹é大å°ã
ä¸é¢å°±ä»¥å 个大åçå åé¢ç²ç¼ç è§å为ä¾æ¥è¯´æå å容éç辨è¯æ¹æ³ã
ä¸æå åé¢ç²
ç®å使ç¨ä¸æçå åé¢ç²æ¥ç产å åæ¡çå家é常å¤ï¼å¨å¸åºä¸æå¾é«çå æçãç±äºå ¶äº§å线åºå¤§ï¼æ以ä¸æå åé¢ç²çå½åè§åé常å¤æãä¸æå åé¢ç²çåå·éç¨ä¸ä¸ª16ä½æ°åç¼ç å½åçãè¿å ¶ä¸ç¨æ·æ´å ³å¿çæ¯å å容éåå·¥ä½éççè¯å«ï¼æ以æ们éç¹ä»ç»è¿ä¸¤é¨åçå«ä¹ã
ç¼ç è§åï¼K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主è¦å«ä¹ï¼
第1ä½ââè¯çåè½Kï¼ä»£è¡¨æ¯å åè¯çã
第2ä½ââè¯çç±»å4ï¼ä»£è¡¨DRAMã
第3ä½ââè¯ççæ´è¿ä¸æ¥çç±»å说æï¼S代表SDRAMãH代表DDRãG代表SGRAMã
第4ã5ä½ââ容éåå·æ°éçï¼å®¹éç¸åçå åéç¨ä¸åçå·æ°éçï¼ä¹ä¼ä½¿ç¨ä¸åçç¼å·ã64ã62ã63ã65ã66ã67ã6A代表64Mbitç容éï¼28ã27ã2A代表128Mbitç容éï¼56ã55ã57ã5A代表256Mbitç容éï¼51代表512Mbitç容éã
第6ã7ä½ââæ°æ®çº¿å¼è个æ°ï¼08代表8ä½æ°æ®ï¼16代表16ä½æ°æ®ï¼32代表32ä½æ°æ®ï¼64代表64ä½æ°æ®ã
第11ä½ââè¿çº¿â-âã
第14ã15ä½ââè¯ççéçï¼å¦60为6nsï¼70为 7nsï¼7B为7.5ns (CL=3)ï¼7C为7.5ns (CL=2) ï¼80为 8nsï¼10 为10ns (66MHz)ã
ç¥éäºå åé¢ç²ç¼ç 主è¦æ°ä½çå«ä¹ï¼æ¿å°ä¸ä¸ªå åæ¡åå°±é常容æ计ç®åºå®ç容éãä¾å¦ä¸æ¡ä¸æDDRå åï¼ä½¿ç¨18çSAMSUNG K4H280838B-TCB0é¢ç²å°è£ ãé¢ç²ç¼å·ç¬¬4ã5ä½â28â代表该é¢ç²æ¯128Mbitsï¼ç¬¬6ã7ä½â08â代表该é¢ç²æ¯8ä½æ°æ®å¸¦å®½ï¼è¿æ ·æ们å¯ä»¥è®¡ç®åºè¯¥å åæ¡ç容éæ¯128Mbitsï¼å æ°ä½ï¼ à 16ç/8bits=256MBï¼å åèï¼ã
注ï¼âbitâ为âæ°ä½âï¼âBâå³åèâbyteâï¼ä¸ä¸ªåè为8ä½å计ç®æ¶é¤ä»¥8ãå ³äºå å容éç计ç®ï¼æä¸æ举çä¾åä¸æ两ç§æ åµï¼ä¸ç§æ¯éECCå åï¼æ¯8ç8ä½æ°æ®å®½åº¦çé¢ç²å°±å¯ä»¥ç»æä¸æ¡å åï¼å¦ä¸ç§ECCå åï¼å¨æ¯64ä½æ°æ®ä¹åï¼è¿å¢å äº8ä½çECCæ ¡éªç ãéè¿æ ¡éªç ï¼å¯ä»¥æ£æµåºå åæ°æ®ä¸ç两ä½é误ï¼çº æ£ä¸ä½é误ãæ以å¨å®é 计ç®å®¹éçè¿ç¨ä¸ï¼ä¸è®¡ç®æ ¡éªä½ï¼å ·æECCåè½ç18çé¢ç²çå åæ¡å®é 容éæ16ä¹ãå¨è´ä¹°æ¶ä¹å¯ä»¥æ®æ¤å¤å®18çæè 9çå åé¢ç²è´´ççå åæ¡æ¯ECCå åã
Micronå åé¢ç²
Micronï¼ç¾å ï¼å åé¢ç²ç容é辨è¯ç¸å¯¹äºä¸ææ¥è¯´ç®å许å¤ãä¸é¢å°±ä»¥MT48LC16M8A2TG-75è¿ä¸ªç¼å·æ¥è¯´æç¾å å åçç¼ç è§åã
å«ä¹ï¼
MTââMicronçååå称ã
48ââå åçç±»åã48代表SDRAMï¼46 代表DDRã
LCââä¾çµçµåãLC代表3Vï¼C 代表5Vï¼V 代表2.5Vã
16M8ââå åé¢ç²å®¹é为128Mbitsï¼è®¡ç®æ¹æ³æ¯ï¼16Mï¼å°åï¼Ã8ä½æ°æ®å®½åº¦ã
A2ââå åå æ ¸çæ¬å·ã
TGââå°è£ æ¹å¼ï¼TGå³TSOPå°è£ ã
-75ââå åå·¥ä½éçï¼-75å³133MHzï¼-65å³150MHzã
å®ä¾ï¼ä¸æ¡Micron DDRå åæ¡ï¼éç¨18çç¼å·ä¸ºMT46V32M4-75çé¢ç²å¶é ã该å åæ¯æECCåè½ãæ以æ¯ä¸ªBankæ¯å¥æ°çå åé¢ç²ã
å ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼å®¹é32M Ã4bit Ã16 ç/ 8=256MBï¼å åèï¼ã
西é¨åå åé¢ç²
ç®åå½å å¸åºä¸è¥¿é¨åçåå ¬å¸Infineonç产çå åé¢ç²åªæ两ç§å®¹éï¼å®¹é为128Mbitsçé¢ç²å容é为256Mbitsçé¢ç²ãç¼å·ä¸è¯¦ç»ååºäºå ¶å åç容éãæ°æ®å®½åº¦ãInfineonçå åéåç»ç»ç®¡ç模å¼é½æ¯æ¯ä¸ªé¢ç²ç±4个Bankç»æãæä»¥å ¶å åé¢ç²åå·æ¯è¾å°ï¼è¾¨å«ä¹æ¯æ容æçã
HYB39S128400å³128MB/ 4bitsï¼â128âæ è¯çæ¯è¯¥é¢ç²ç容éï¼åä¸ä½æ è¯çæ¯è¯¥å åæ°æ®å®½åº¦ãå ¶å®ä¹æ¯å¦æ¤ï¼å¦ï¼HYB39S128800å³128MB/8bitsï¼HYB39S128160å³128MB/16bitsï¼HYB39S256800å³256MB/8bitsã
Infineonå åé¢ç²å·¥ä½éçç表示æ¹æ³æ¯å¨å ¶åå·æåå ä¸ç线ï¼ç¶åæ ä¸å·¥ä½éçã
-7.5ââ表示该å åçå·¥ä½é¢çæ¯133MHzï¼
-8ââ表示该å åçå·¥ä½é¢çæ¯100MHzã
ä¾å¦ï¼
1æ¡Kingstonçå åæ¡ï¼éç¨16çInfineonçHYB39S128400-7.5çå åé¢ç²ç产ãå ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼ 128Mbitsï¼å æ°ä½ï¼Ã16ç/8=256MBï¼å åèï¼ã
1æ¡Ramaxelçå åæ¡ï¼éç¨8çInfineonçHYB39S128800-7.5çå åé¢ç²ç产ãå ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼ 128Mbitsï¼å æ°ä½ï¼ à 8 ç/8=128MBï¼å åèï¼ã
Kingmaxå åé¢ç²
Kingmaxå åé½æ¯éç¨TinyBGAå°è£ ï¼Tiny ball grid arrayï¼ã并ä¸è¯¥å°è£ 模å¼æ¯ä¸å©äº§åï¼æ以æ们çå°éç¨Kingmaxé¢ç²å¶ä½çå åæ¡å ¨æ¯è¯¥åèªå·±ç产ãKingmaxå åé¢ç²æ两ç§å®¹éï¼64Mbitså128Mbitsãå¨æ¤å¯ä»¥å°æ¯ç§å®¹éç³»åçå åé¢ç²åå·å表åºæ¥ã
容éå¤æ³¨ï¼
KSVA44T4A0Aââ64Mbitsï¼16Må°åç©ºé´ Ã 4ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV884T4A0Aââ64Mbitsï¼8Må°åç©ºé´ Ã 8ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV244T4XXXââ128Mbitsï¼32Må°åç©ºé´ Ã 4ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV684T4XXXââ128Mbitsï¼16Må°åç©ºé´ Ã 8ä½æ°æ®å®½åº¦ï¼
KSV864T4XXXââ128Mbitsï¼8M å°åç©ºé´ Ã 16ä½æ°æ®å®½åº¦ã
Kingmaxå åçå·¥ä½éçæåç§ç¶æï¼æ¯å¨åå·åç¨ç线符å·éå¼æ è¯å åçå·¥ä½éçï¼
-7AââPC133 /CL=2ï¼
-7ââPC133 /CL=3ï¼
-8AââPC100/ CL=2ï¼
-8ââPC100 /CL=3ã
ä¾å¦ä¸æ¡Kingmaxå åæ¡ï¼éç¨16çKSV884T4A0A-7A çå åé¢ç²å¶é ï¼å ¶å®¹é计ç®ä¸ºï¼ 64Mbitsï¼å æ°ä½ï¼Ã16ç/8=128MBï¼å åèï¼ã
HYUNDAIï¼ç°ä»£ï¼
ç°ä»£çSDRAMå åå ¼å®¹æ§é常好ï¼æ¯æDIMMç主æ¿ä¸è¬é½å¯ä»¥é¡ºå©ç使ç¨å®ï¼å ¶SDRAMè¯çç¼å·æ ¼å¼ä¸ºï¼HY 5a b cde fg h i j k lm-no
å ¶ä¸HY代表ç°ä»£ç产åï¼5a表示è¯çç±»å(57=SDRAMï¼5D=DDRSDRAM)ï¼b代表工ä½çµå(空ç½=5Vï¼V=3.3V,U=2.5V)ï¼cde代表容éåå·æ°é度ï¼16=16Mbitsã4K Refï¼64=64Mbitsã8K Refï¼65=64Mbitsã4K Refï¼128=128Mbitsã8K Refï¼129=128Mbitsã4K Refï¼256=256Mbitsã16K Refï¼257=256Mbitsã8K Refï¼ï¼fg代表è¯çè¾åºçæ°æ®ä½å®½ï¼40ã80ã16ã32åå«ä»£è¡¨4ä½ã8ä½ã16ä½å32ä½ï¼ï¼h代表å åè¯çå é¨ç±å 个Bankç»æï¼1ã2ã3åå«ä»£è¡¨2个ã4个å8个Bankï¼æ¯2çå¹æ¬¡å ³ç³»ï¼ï¼I代表æ¥å£ï¼0=LVTTLãLow Voltage TTLãæ¥å£ï¼ï¼j代表å æ ¸çæ¬ï¼å¯ä»¥ä¸ºç©ºç½æAãBãCãDçåæ¯ï¼è¶å¾å代表å æ ¸è¶æ°ï¼ï¼k代表åèï¼L=ä½åèè¯çï¼ç©ºç½=æ®éè¯çï¼ï¼lm代表å°è£ å½¢å¼ï¼JC=400mil SOJï¼TC=400mil TSOP-IIï¼TD=13mm TSOP-IIï¼TG=16mm
TSOP-IIï¼ï¼no代表é度ï¼7=7nsã143MHzãï¼8=8nsã125MHzãï¼10p=10nsãPC-100CL2æ3ãï¼10s=10nsãPC-100 CL3ãï¼10=10nsã100MHzãï¼12=12nsã83MHzãï¼15=5nsã66MHzãï¼ã
ä¾å¦HY57V658010CTC-10sï¼HY表示ç°ä»£çè¯çï¼57代表SDRAMï¼65æ¯64Mbitå4Krefresh cycles/64msï¼8æ¯8ä½è¾åºï¼10æ¯2个Bankï¼Cæ¯ç¬¬4个çæ¬çå æ ¸ï¼TCæ¯400mil TSOP-â ¡å°è£ ï¼10S代表CL=3çPC-100
温馨提示:答案为网友推荐,仅供参考
第1个回答 2013-09-25
看颗粒就行了
5NS就是400的 6NS就是333 7.5的就是266
现代的则不同了
举个例子:
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下:
1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)
3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)
10.封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11.封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14.工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))
记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,这款内存实际的最高工作状态是多少。
另外我补充几点:
不知楼主的配置如何,各种主板配置内存不一样。
1、如果是Socket754平台,最好不要使用3条DDR400内存,不然会降到DDR333,这是受限于Socket754处理器内存控制器的设计。
2、如果是Socket939平台,最好不要用四条,如果用了,AMD平台中“1T Command”不能打开,从而大大降低性能。
3、如果是i915P/Pl和i865PE平台,除了品牌、频率、颗粒封装要相同外,建议全部选用单面或全用双面,不要单双混用,这其实适合所有主板。
4、有些主板上的内存插槽有两种颜色,同一种色组成一个双通道,装内存时要注意
学会区分DDR和SDRAM。DDR内存使用的184PIN,而普通SDRAM使用的168PIN,如果从外观上看,那DDR和SDRAM几乎没有区别,但如果仔细观察,就会发现SDRAM左右两侧各只有一个缺口,而DDR则有两个缺口,这也是最简单明了的区分方法,另外还有几种方法,比如说DDR的插槽缺口只有一个,而SDRAM有两个,再就是DDR的显存颗粒比SDRAM的要薄,这些都是用肉眼就能观察到的,俺估计现在市场还不会有人愚蠢到把SDRAM当DDR卖,呵呵
SD的内存有两个缺口,DDR就有一个 DDRII的也只有一个,不过DDRII的缺口位置更接近中间。
型号就只有看看内存上的标贴了。一般只要有标贴,上面都会标有频率的,如果没有标贴的散条就只有靠软件来查看了,像超级兔子,优化大师,CPU-z这类的软件都可以看的。
内存的指针,是指金手指吧,一般SD的金手指是168个,DDR的是184个,而DDRII的是240个,多少个就是插进插槽的那个部位黄色的东西,两边都算的。你可以数数看。
内存分为 DDR SDRAM 和SDRAM
视觉上区分是看有几个豁口O
两个豁口的是SDRAM 一个豁口的则是DDR
两者区分其实就是 频率的不同
SD有PC100 PC133 PC150
DDR有 DDR266 DDR333 DDR400
现在有了DDR2内存
频率分别为 DDR533 DDR667 DDR800
DDR2 667的 :内存右下脚 就你自己看,如果是120的就是DDR2 667。从正面看哦!
5NS就是400的 6NS就是333 7.5的就是266
现代的则不同了
举个例子:
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下:
1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)
3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)
10.封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11.封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14.工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))
记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,这款内存实际的最高工作状态是多少。
另外我补充几点:
不知楼主的配置如何,各种主板配置内存不一样。
1、如果是Socket754平台,最好不要使用3条DDR400内存,不然会降到DDR333,这是受限于Socket754处理器内存控制器的设计。
2、如果是Socket939平台,最好不要用四条,如果用了,AMD平台中“1T Command”不能打开,从而大大降低性能。
3、如果是i915P/Pl和i865PE平台,除了品牌、频率、颗粒封装要相同外,建议全部选用单面或全用双面,不要单双混用,这其实适合所有主板。
4、有些主板上的内存插槽有两种颜色,同一种色组成一个双通道,装内存时要注意
学会区分DDR和SDRAM。DDR内存使用的184PIN,而普通SDRAM使用的168PIN,如果从外观上看,那DDR和SDRAM几乎没有区别,但如果仔细观察,就会发现SDRAM左右两侧各只有一个缺口,而DDR则有两个缺口,这也是最简单明了的区分方法,另外还有几种方法,比如说DDR的插槽缺口只有一个,而SDRAM有两个,再就是DDR的显存颗粒比SDRAM的要薄,这些都是用肉眼就能观察到的,俺估计现在市场还不会有人愚蠢到把SDRAM当DDR卖,呵呵
SD的内存有两个缺口,DDR就有一个 DDRII的也只有一个,不过DDRII的缺口位置更接近中间。
型号就只有看看内存上的标贴了。一般只要有标贴,上面都会标有频率的,如果没有标贴的散条就只有靠软件来查看了,像超级兔子,优化大师,CPU-z这类的软件都可以看的。
内存的指针,是指金手指吧,一般SD的金手指是168个,DDR的是184个,而DDRII的是240个,多少个就是插进插槽的那个部位黄色的东西,两边都算的。你可以数数看。
内存分为 DDR SDRAM 和SDRAM
视觉上区分是看有几个豁口O
两个豁口的是SDRAM 一个豁口的则是DDR
两者区分其实就是 频率的不同
SD有PC100 PC133 PC150
DDR有 DDR266 DDR333 DDR400
现在有了DDR2内存
频率分别为 DDR533 DDR667 DDR800
DDR2 667的 :内存右下脚 就你自己看,如果是120的就是DDR2 667。从正面看哦!
第2个回答 2013-09-25
基本上这样区分 DDR是Double Data Rate的缩写(双倍数据速率),DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据(SDRAM只能通过下行传输),因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins,而SDRAM则是168pins。因此,DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输,而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输,所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量,这也是DDR的意义——Double Data Rate,双倍数据速率。举例来说,DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽,而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值,此数值越低表明内存的数据读取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。 SD内存中间是两个插槽,DDR内存中间是一个插槽。 SD内存用于810,815系列主板,DDR内存用于845以上主板 。 DDR2为DDR的下个版本参考资料:
第3个回答 2013-09-25
这个不用担心。。。你去买的的时候都有标识的,不可能没有,
第4个回答 2013-09-25
上面都标明了。看一下就能用