一般内存条上都有标贴注明 ,但在没有标贴注明的情况下如果辨别出内存条的型号

如题所述

怎样看外表辨别内存条的大小
内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。
下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。

三星内存颗粒

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则:K 4 X X X X X X X X - X X X X X
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Micron内存颗粒

Micron(美光)内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式,TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。

西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。

Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。

HYUNDAI(现代)

现代的SDRAM内存兼容性非常好,支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它,其SDRAM芯片编号格式为:HY 5a b cde fg h i j k lm-no
其中HY代表现代的产品;5a表示芯片类型(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM);b代表工作电压(空白=5V,V=3.3V,U=2.5V);cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref,64=64Mbits、8K Ref,65=64Mbits、4K Ref,128=128Mbits、8K Ref,129=128Mbits、4K Ref,256=256Mbits、16K Ref,257=256Mbits、8K Ref);fg代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位);h代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系);I代表接口(0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口);j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-II,TD=13mm TSOP-II,TG=16mm
TSOP-II);no代表速度(7=7ns〔143MHz〕,8=8ns〔125MHz〕,10p=10ns〔PC-100CL2或3〕,10s=10ns〔PC-100 CL3〕,10=10ns〔100MHz〕,12=12ns〔83MHz〕,15=5ns〔66MHz〕)。
例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100
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第1个回答  2013-09-25
看颗粒就行了
5NS就是400的 6NS就是333 7.5的就是266

现代的则不同了
举个例子:
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:

HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14

整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下:
1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)
3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)
10.封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11.封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14.工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))
记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,这款内存实际的最高工作状态是多少。
另外我补充几点:
不知楼主的配置如何,各种主板配置内存不一样。
  1、如果是Socket754平台,最好不要使用3条DDR400内存,不然会降到DDR333,这是受限于Socket754处理器内存控制器的设计。
  2、如果是Socket939平台,最好不要用四条,如果用了,AMD平台中“1T Command”不能打开,从而大大降低性能。
  3、如果是i915P/Pl和i865PE平台,除了品牌、频率、颗粒封装要相同外,建议全部选用单面或全用双面,不要单双混用,这其实适合所有主板。
  4、有些主板上的内存插槽有两种颜色,同一种色组成一个双通道,装内存时要注意

学会区分DDR和SDRAM。DDR内存使用的184PIN,而普通SDRAM使用的168PIN,如果从外观上看,那DDR和SDRAM几乎没有区别,但如果仔细观察,就会发现SDRAM左右两侧各只有一个缺口,而DDR则有两个缺口,这也是最简单明了的区分方法,另外还有几种方法,比如说DDR的插槽缺口只有一个,而SDRAM有两个,再就是DDR的显存颗粒比SDRAM的要薄,这些都是用肉眼就能观察到的,俺估计现在市场还不会有人愚蠢到把SDRAM当DDR卖,呵呵
SD的内存有两个缺口,DDR就有一个 DDRII的也只有一个,不过DDRII的缺口位置更接近中间。
型号就只有看看内存上的标贴了。一般只要有标贴,上面都会标有频率的,如果没有标贴的散条就只有靠软件来查看了,像超级兔子,优化大师,CPU-z这类的软件都可以看的。
内存的指针,是指金手指吧,一般SD的金手指是168个,DDR的是184个,而DDRII的是240个,多少个就是插进插槽的那个部位黄色的东西,两边都算的。你可以数数看。
内存分为 DDR SDRAM 和SDRAM
视觉上区分是看有几个豁口O
两个豁口的是SDRAM 一个豁口的则是DDR
两者区分其实就是 频率的不同
SD有PC100 PC133 PC150
DDR有 DDR266 DDR333 DDR400
现在有了DDR2内存
频率分别为 DDR533 DDR667 DDR800

DDR2 667的 :内存右下脚 就你自己看,如果是120的就是DDR2 667。从正面看哦!
第2个回答  2013-09-25
基本上这样区分 DDR是Double Data Rate的缩写(双倍数据速率),DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66,PC100,PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据(SDRAM只能通过下行传输),因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins,而SDRAM则是168pins。因此,DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输,而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输,所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量,这也是DDR的意义——Double Data Rate,双倍数据速率。举例来说,DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽,而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值,此数值越低表明内存的数据读取周期越短,性能也就越好,DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。 SD内存中间是两个插槽,DDR内存中间是一个插槽。 SD内存用于810,815系列主板,DDR内存用于845以上主板 。 DDR2为DDR的下个版本参考资料:
第3个回答  2013-09-25
这个不用担心。。。你去买的的时候都有标识的,不可能没有,
第4个回答  2013-09-25
上面都标明了。看一下就能用

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